RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
104
Autour de -225% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2399
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link