RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
71
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2733
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link