RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2733
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link