RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
71
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2581
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Lenovo 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link