RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
71
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2581
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link