RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
71
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
36
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2581
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link