RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
71
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
50
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2512
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link