RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
71
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
50
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2512
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link