Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Средняя оценка

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 15.3

Среднее значение в тестах

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

50 71

Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.9 1,322.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 5300

Около 4.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

71 50
Скорость чтения, Гб/сек

2,831.6 15.3
Скорость записи, Гб/сек

1,322.6 10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 25600

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

399 2512

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB

Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB

Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Kingston 99U5665-004.A00G 4GB

Kingston 99U5665-004.A00G 4GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

модули RAM