RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
71
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
50
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2512
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link