RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
3115
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link