RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1822
3115
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link