Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Puntuación global
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Puntuación global
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    35 left arrow 72
    En 51% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 13.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 72
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 15.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2312 left arrow 1593
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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