RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
72
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
72
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
1593
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link