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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Puntuación global
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
76
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2606U1S 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
76
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2854
1809
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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AMD R744G2606U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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