RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Pontuação geral
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
76
Por volta de 58% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R744G2606U1S 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
32
76
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
8.7
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2854
1809
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link