RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Compara
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Puntuación global
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
39
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,597.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
32
Velocidad de lectura, GB/s
5,022.9
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,597.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
753
3208
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link