RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Comparar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Pontuação geral
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
39
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
1,597.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
32
Velocidade de leitura, GB/s
5,022.9
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,597.0
14.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
753
3208
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparações de RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73CB0-YK0 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link