RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
54
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
23
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3098
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link