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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Puntuación global
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
63
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
25.2
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.5
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
25
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
25.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
19.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
4167
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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