RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
63
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
25
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
4167
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link