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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Puntuación global
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
63
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.4
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
27
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
17.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
3845
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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