RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
63
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
27
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3845
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link