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PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

Puntuación global
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global
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Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

PNY Electronics PNY 2GB Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 13.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    23 left arrow 27
    En -17% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 23
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 13.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 6.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2274 left arrow 2130

PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM

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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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