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PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

Punteggio complessivo
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Punteggio complessivo
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Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

PNY Electronics PNY 2GB Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.8 left arrow 13.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.4 left arrow 6.1
    Valore medio nei test
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Motivi da considerare
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    23 left arrow 27
    Intorno -17% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 23
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.8 left arrow 13.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 6.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2274 left arrow 2130

PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Memoria RAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Memoria RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Memoria RAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
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Memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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Memoria RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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