RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3169
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Golden Empire CL11-11-11 D3-1600 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link