PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 36
    Wokół strony 25% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.3 left arrow 13.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.2 left arrow 8.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 10600
    Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 36
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 17.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 12.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2274 left arrow 3169
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania