RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2802
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link