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PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2527
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
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