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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3636
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
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