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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3573
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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