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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3573
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Jinyu 16GB
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