RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3414
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link