RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3414
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link