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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3614
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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