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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3192
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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