RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3731
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link