RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3731
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link