RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около 69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
77
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1440
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link