RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около 69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
77
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1440
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Inmos + 256MB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link