RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3297
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link