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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Kingston K821PJ-MID 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston K821PJ-MID 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2338
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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