RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3581
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link