RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.6
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
21.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3581
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link