PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

Puntuación global
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 32
    En 16% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 11.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 6.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 11.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 6.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2274 left arrow 2238
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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