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PNY Electronics PNY 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3911
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
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