RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
55
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
55
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2078
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link