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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
55
Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
55
Velocità di lettura, GB/s
13.8
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2078
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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