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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
44
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
44
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2727
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
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