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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
44
Autour de 39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
44
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2727
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
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