RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2361
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link