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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
49
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
49
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2331
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
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