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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
43
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
2201
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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